Министр высшего образования и науки РФ Михаил Котюков 23 октября подписал приказ о назначении на должность директора Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН академика Александра Латышева.
Александр Латышев в 2013 году сменил на должности директора Института академика Александра Асеева, возглавлявшего Сибирское отделение РАН. В июне 2018 года он по результатам голосования сотрудников был переизбран. Но из-за преобразования Федерального агентства научных организаций в Министерство высшего образования и науки его утверждение в должности было отложено на несколько месяцев. Всё это время Александр Латышев являлся временно исполняющим обязанности директора.
Справка
Александр Васильевич Латышев, академик РАН, доктор физико-математических наук.
В 1981 году окончил Новосибирский государственный университет по специальности «физика». В 1998 году защитил докторскую диссертацию «Атомные ступени на поверхности кремния в процессах сублимации, эпитаксии и фазовых переходов». В 2008 г. избран членом-корреспондентом РАН по Отделению нанотехнологий и информационных технологий РАН (специальность «нанодиагностика»). В 2016 году избран действительным членом РАН по Отделению нанотехнологий и информационных технологий РАН (специальность «элементная база, нанодиагностика»).
Специалист в области синтеза пленочных и наноразмерных полупроводниковых структур из молекулярных пучков, полупроводниковых нанотехнологий для нового поколения элементной базы наноэлектроники и структурной диагностики низкоразмерных систем, автор 6 и соавтор 201 научных работ, в том числе 2 монографий, отдельных глав в 4 монографиях, имеет 6 патентов на изобретение.
Фото сайта «Наука в Сибири»