Разработанный учеными из Института физики полупроводников (ИФП СО РАН) образец первой российской установки для выращивания полупроводников в космосе прошел все испытания и отправлен на Международную космическую станцию (МКС).
«По заказу ракетно-космической корпорации «Энергия» разработали установку для синтеза полупроводниковых материалов в космосе. Проект «Экран-м» призван использовать преимущества космического вакуума для создания высокочистых полупроводников методом молекулярно-лучевой эпитаксии. На данный момент это единственная в мире подобная исследовательская программа. Установка прошла все предполетные испытания и сегодня отправлена на МКС», – сообщается на сайте института.
Метод молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) – один из самых перспективных для выращивания полупроводниковых материалов. Атомарные слои укладываются друг на друга в сверхвысоком вакууме так, чтобы кристалл полупроводника получает нужные свойства, например, может улавливать или излучать свет в определенном диапазоне или выдерживать высокое электрическое напряжение.
Установки МЛЭ крупногабаритные, дорогостоящие, сложные в производстве, поскольку предъявляют высокие требования к вакууму. Для осаждения каждого химического элемента нужна собственная вакуумная камера, чтобы не загрязнять образец другими соединениями. В космосе требуемых параметров вакуума достичь гораздо легче и и можно использовать одну камеру для осаждения всех элементов.
Специалисты ИФП СО РАН сделали космическую установку молекулярно-лучевой эпитаксии с нуля, с учетом ограничений – небольшого веса и габаритов, радиационной стойкости комплектующих, необычного поведения вещества в условиях космического пространства.
«Цель проекта «Экран-м» – исследовать, насколько эффективен процесс роста эпитаксиальных слоев в космосе, как будут реализованы преимущества, которые предоставляет космический вакуум», – прокомментировал отправку установки в космос заведующий лабораторией ИФП СО РАН Александр Никифоров.
Фото с сайта ИФП СО РАН