Алина Герасимова вошла в число восьми аспирантов институтов Сибирского отделения РАН, удостоенных подобной стипендии. Она работает в лаборатории физической химии Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова новосибирского Академгородка.
Подобная стипендия выделяется аспирантам и студентам очной формы обучения, проявившим выдающиеся успехи в учёбе и научных исследованиях, являющимися авторами открытий, изобретений, научных статей в центральных изданиях РФ и за рубежом.
Сфера научных интересов Алины — формирование тонкоплёночных слоёв нестехиометрических оксидов металлов методом ионно-лучевого распыления-осаждения и исследованием их структурных и функциональных свойств.
— Процесс оформления заявки на стипендию довольно простой, но требует много времени: у меня ушло несколько дней. Нужно перечислить научные достижения, к которым относятся статьи в журналах, индексируемых в WoS, Scopus, РИНЦ, запатентованные научные результаты, выступления на конференциях, победы в конкурсах, олимпиадах. У меня много статей. Думаю, это сыграло свою роль при принятии решения о выделении стипендии, — комментирует Алина Герасимова.
Добавим, что размер правительственной стипендии для приоритетных направлений подготовки высшего образования составляет десять тысяч рублей (без учёта районного коэффициента) ежемесячно в течение одного календарного года.
По информации пресс-службы ИФП СО РАН,
фото (Алины Герасимовой) Виктора Яковлева и из открытых источников